Samsung заявила о старте производства однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET.
Процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет транзисторную 3D-структуру. Его технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что позволило получить на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, производительность выросла на 40%, а энергопотребление уменьшилось на 40%. В новом процессоре используются новейшее техническое решение – тройное структурирование. Оно позволяет производить двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями.
Samsung ранее демонстрировала первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE). Второе поколение (10LPP) будет обладать повышенной производительностью. Старт производства назначен на вторую половину 2017 года.
Samsung собирается вместе со своими партнерами создать цифровую экосистему, которая сможет объединить средства проверки эталонного потока, IP и библиотеки. Сейчас доступен набор разработки производственного процесса (PDK) и набор разработки IP. Система SoC по техпроцессу 10-нм будет использоваться в цифровых устройствах с начала 2017 года. Планируется, что они станут доступны уже в течении 2017 года.
