Samsung заявила о старте производства однокристальной системы System-on-Chip (SoC) по техпроцессу 10-нм FinFET. Процессор Samsung 10-нм FinFET (10LPE) имеет транзисторную 3D-структуру. Его технология и дизайн были улучшены по сравнению с предыдущей версией 14-нм, что позволило получить на 30% более высокую удельную эффективность поверхности, производительность выросла на 40%, а энергопотребление уменьшилось на 40%. В новом процессоре используются новейшее техническое решение – тройное структурирование. Оно позволяет производить двустороннюю маршрутизацию для поддержания большей гибкости в дизайне и роутинге по сравнению с предыдущими моделями. Samsung ранее демонстрировала первое поколение решений по техпроцессу 10-нм (10LPE).…
Read MoreSamsung запускает производство системы System-on-Chip по техпроцессу 10-нм FinFET
